邹世昌

人员队伍

中心领导
创新团队
高层次领军人才

两院院士
“973计划”首席科学家
“杰出青年基金”获得者

教学团队

邹世昌

发表时间：2014-05-19 阅读次数：275次

邹世昌：
　　中心专家委员会成员
　　中国科学院院士。曾参加直空阀门甲种分离膜的研制，并担任工艺组负责人，该成果1984 年获国家发明奖一等奖。在国内较早开展了离子束材料改性与离子束分析的研究工作。在中国最早将离子注入应用于半导体集成电路，首先建立了离子背散射沟道技术，并应用于半导体材料及器件。研究离子注入硅单晶的激光退火行为，离子注入多晶硅的激光再结晶，并研制成高CMOS 器件。