Chenming Hu (UC Berkley)：

　　美国工程科学院院士，中国科学院外籍院士，IEEEFellow，微电子学家。主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET 晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997 年被国际上38 家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET 等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC 可靠性的计算机数值模拟工具。